Jest dokładnie jak napisałeś. Są co prawda na każdym z modułów cztery tranzystory bipolarne, ale tworzą one połączenia kaskodowe z tranzystorami j-fet, pracującymi w symetrycznych wzmacniaczach różnicowych, jednak ich zasadniczą rolą jest zapewnienie podwójnym tranzystorom 2SK389BL i 2SJ109BL odpowiednich, bezpiecznych dla nich napięć pracy i ograniczenie niepotrzebnych strat mocy. W każdym z modułów są również cztery tranzystory typu mosfet, z kanałami "P" i "N" i w ich przypadku możliwe odchyłki parametrów mogą być już bardzo duże. Poniżej nota katalogowa jednego z nich.Einherjer pisze: ↑czw, 1 grudnia 2022, 20:02 Producent nie udostępnia schematu wzmacniacza, ale z tego co można się dowiedzieć "z natury", wiemy, że układ jest nie tylko od początku do końca przeciwsobny, ale też całkowicie zbalansowany (różnicowe wejście i wyjście). Można więc powiedzieć, że jest podwójnie symetryczny. O ile się nie mylę, składa się wyłącznie z tranzystorów polowych (MOSFET i JFET), a w ich przypadków dopuszczalny rozrzut parametrów jest naprawdę duży i bez ich dobierania trudno by było uzyskać jakąkolwiek symetrię punktów pracy. Jestem tylko ciekaw czy firma Pass Labs ma jakoś zautomatyzowany pomiar czy ktoś przerzuca te wagony po jednym tranzystorzeTak czy owak w przypadku tranzystorów polowych jeszcze bardziej niż w przypadku bipolarnych trudno o prawdziwie komplementarną parę. Nawet jak napięcia progowe uda się dobrać, to transkonduktancja będzie pewnie się różnić o pojemnościach już nie wspomnę. Widać to zresztą w pomiarach, teoretycznie powinny wykazać zero parzystych harmonicznych a widać je dość wyraźnie.
Musze przyznać, że w pewien sposób mi ten wzmacniacz imponuje, zwłaszcza zrównoleglony stopień wyjściowy, ale budowę podobnego cuda trzeba by zacząć od budowy testera, który może automatycznie zmierzyć co najmniej 10 tranzystorów na raz :Nie jestem też przekonany do tranzystorów MOSFET w stopniach napięciowych, chociaż we wzmacniaczach, które z założenia mają mieć płytkie USZ można to jakoś uzasadnić.
Dla prądu drenu równego 1 mA napięcia bramka-źródło w poszczególnych egzemplarzach mogą mieć wartość leżącą w przedziale 0,8...2,4 V. Nie ma w tych tranzystorach podziału na grupy, jak np. w j-fetach BF245 (A, B, C), więc trzeba przemierzyć kilkadziesiąt sztuk z jednej partii produkcyjnej, by wybrać egzemplarze o bardzo podobnych charakterystykach i jeszcze zbliżonych współczynnikach temperaturowych prądu drenu dla typowego w układzie napięcia bramka-źródło. By naprawić i dokładnie zrozumieć zasadę działania tego wzmacniacza, rozrysowałem "z natury" cały jego schemat, jednak ze względu na prośbę autora tego rozwiązania, nie zamierzam go rozpowszechniać. W necie można znaleźć rozwiązania mniej lub bardziej "kompatybilne" z oryginalnym układem (modułem), ale schematu tego oryginalnego nie ma i nie będzie. Wykonując pomiary doszedłem do wniosku, że nie tylko tranzystory były precyzyjnie dobierane, ale również rezystory SMD i te w obwodach źródeł tranzystorów mocy. To oczywiście miało duże przełożenia na cenę końcową urządzenia, ale cena ta nie zniechęca kupujących, gdyż ci płacą za wysoką jakość wzmacniacza oraz ten ogrom pracy, który trzeba było włożyć w jego tworzenie...
Pozdrawiam
Romek