Tak na szybko, bo mogę spędzić tylko chwilę przy komputerze, to widzę dwie wady przedstawionego układu. Pierwszą jest to, że tranzystor M1 typu IXTP08N100D2 wydaje mi się nieco "przewymiarowany", co wiąże się z większymi jego pojemnościami i gorszymi parametrami jako źródła prądowego. W tym miejscu przy napięciu do 500 V i prądzie w okolicach 1 mA w zupełności wystarczyłby LND150 w obudowie TO-92. Poniżej fragment tabeli z między innymi pojemnościami z noty aplikacyjnej tranzystora IXTP08N100D2 i kilka charakterystyk.Einherjer pisze: ↑śr, 1 września 2021, 10:32
Sposób podłączenia C3 nie jest pomyłką, podłączenie go bezpośrednio do bramki M2 skutkowało wzbudzeniem się układu przy skokowych zmianach obciążenia za sprawą impulsów przewodzonych przez pojemności MOSFETa. Tranzystory mocy są połączone szeregowo, a pisałem kilka postów wyżej, że powinny być połączone równolegle. Jednak po zasięgnięciu rady panów Horowitza i Hilla doszedłem do wniosku, że szeregowe połączenie to nie jest taki zły pomysł, a może nawet lepszy niż połączenie równoległe z kilku powodów:Proszę nie oczekiwać, że w najbliższym czasie uda mi się ten układ zweryfikować praktycznie
- odpada konieczność dobierania MOSFETów w pary i kłopoty z podziałem prądu, co też obniża koszty, bo żeby dobrać parę trzeba ich mieć sporo więcej,
- potencjalnie można użyć MOSFETów o niższym maksymalnym napięciu dren-źródło,
- wzmacniacz błędu i ogranicznik prądu mają do przeładowania tylko pojemności jednego tranzystora, a nie dwóch czy trzech.
LND150N3-G w obudowie TO-92 ma dopuszczalną moc strat równą 0,75 W (w obudowie SMD typu SOT-89 ma 1,6 W), więc przy nawet 500 V i 1 mA pracowałby z niewielkim zapasem w stosunku do mocy "granicznej". Za to jego pojemności stanowią pojedyncze pikofarady, a charakterystyki, przedstawiające prąd drenu w funkcji napięcia bramka-źródło są wręcz idealne. Od wielu lat stosuję te tranzystory w źródłach prądowych z napięciem do 500 V i jeszcze żaden mi się nie uszkodził. Przy prądzie w granicach 0,4...0,6 mA ma on niemal zerowy współczynnik temperaturowy prądu drenu, a powyżej tej wartości nawet ujemny.
Poniżej fragment tabeli z jego noty aplikacyjnej i kilka charakterystyk.
Problem ze spadkiem napięcia na TL431 i jego złym działaniem wyjaśniłeś w jednym z wcześniejszych, więc nie ma się co nad tym rozwodzić, ale pewien problem może stanowić dioda Zenera, która zabezpiecza wejście TL431. W swojej praktyce spotkałem się z trzema typami układów TL431. Jedne z nich zachowywały się tak jakby szeregowo z wejściem włączony był wewnątrz dodatkowy rezystor, przez co chwilowy wzrost napięcia tej końcówki podzespołu nie stwarzał dla niego żadnego zagrożenia, inne ulegały uszkodzeniu nawet po nieznacznym przekroczeniu napięcia wejściowego 2,5 V, a w jeszcze innych chyba zastosowano dla tej końcówki jakąś zintegrowaną diodę Zenera, która dostawała zwarcia przy przy zbyt dużym prądzie i przekroczeniu pewnego progu napięcia (niższego od 15 V). Zaproponowałeś użycie w tym miejscu zewnętrznej diody Zenera o napięciu stabilizacji 3 V. Problem w tym, że wszystkie diody Zenera o napięciu niższym niż 4,3 V (3,9 V) mają ze spadkiem napięcia coraz gorsze parametry i nawet przy dużo niższym napięciu, niż napięcie stabilizacji wykazują dość duży prąd wsteczny. Kiedyś przebadałem pod tym względem kilkadziesiąt diod o typowych napięciach i parametry tych diod okazały się dość kiepskie
Przebadane przeze mnie diody o napięciu stabilizacji 3 V (np. ZPD 3,0 firmy ITT) i dopuszczalnej mocy strat 0,4 i 0,5 W przy napięciu 2,500 V pobierały prąd wsteczny z przedziału 0,97...1,9 mA, diody o napięciu stabilizacji 3,3 V pobierały 0,3...0,6 mA, diody Zenera 3,6 V przy 2,5 V pobierały od 0,2 do 0,4 mA, diody 3,9 V (np. BZX55C 3,9V) pobierały 0,1...0,2 mA, a np. prąd diod BZW22C 4,3V wynosił przy napięciu 2,5 V od 0,4 do 1,2 mA. Diody o wyższych napięciach miały już zdecydowanie lepsze parametry, gdyż np diody ZPD4,7 ITT o napięciu 4,7 V i mocy 0,5 W przy 2,5 V pobierały od 11 do 30 μA, a dla porównania podam, że dwie połączone szeregowo czerwone diody LED, które przy 3,7 V pobierały 2,5 mA, przy napięciu 2,5 V pobierały jedynie 9 nA. Prąd wsteczny diod Zenera 3 V poza tym że był stosunkowo wysoki, to jeszcze mocno zależał od temperatury...A, przypomniało mi się że 2005 roku (na stronie 7. tego wątku) przedstawiłem taki schemat
Wtedy, o ile dobrze pamiętam, nie było jeszcze LND150 i podobnych, normalnie włączonych mosfetów. Obecnie zaprojektowałbym ten układ zupełnie inaczej.
Pozdrawiam
Romek
