Muszę Cię zmartwić, ale podany przez Ciebie wzór mógłby co najwyżej opisywać (i to w bardzo uproszczony sposób) rezystancję wejściową dwóch tranzystorów w połączeniu Darlingtona. Aby wyznaczyć oporność przedstawionego w wątku źródła prądowego należałoby przeanalizować wpływ wartości napięcia kolektor-emiter tranzystora na napięcie emiter-baza (efekt Early'ego) i na wartość wzmocnienia prądowego (ono również w pewien sposób zależy od Uce). Oczywiście analizę powinno się zacząć od układu podstawowego, czyli z jednym tranzystorem. Należałoby też przeanalizować jak wpływa wzmocnienie tranzystora na procentowy udział prądu bazy w prądzie emitera i co dzieje się z prądem emitera (kolektora) gdy prąd bazy zmienia się wskutek zmian napięcia emiter-kolektor. Dodatkowo należy sprawdzić jak prąd bazy oddziałuje na napięcie polaryzujące tą bazę przez układ elementów do niej podłączonych. Dopiero zrozumienie wszystkich tych zależności pozwoliłoby Ci zorientować się w wielkości rezystancji wewnętrznej źródła prądowego (dla napięć stałych, bo dla zmiennych zagadnienie komplikuje się jeszcze bardziej - trzeba uwzględnić wszystkie pojemności i ich wpływ) i ocenę sensu stosowania dwóch tranzystorów w połączeniu kaskodowym zamiast jednego. Myślę jednak, że nie będziemy dalej rozwijać tego tematu, gdyż zainteresowanie nim jest nikłe, a poza tym zbyt daleko odbiega on od tematyki naszego Forum.sztyga20 pisze:Od siebie dodam jeszcze (tak dla innych początkujących) wzór na przybliżoną oporność dynamiczną takiego źródła (poprawcie jak źle)
R=hfeT1*hfeT2*RE
Gdzie:
hfeT1 - współczynnik wzmocnienia prądowego pierwszego tranzystora
hfeT2 - współczynnik wzmocnienia prądowego drugiego tranzystora
RE - opornik przy emiterze górnego tranzystora
Pozdrawiam,
Romek