Jak sprawdzić MOSFET?

[elektro_nowy]

Sprawność zwykłego bipolarnego tranzystora można sprawdzić omomierzem a czy jest jakiś prosty sposób na skontrolowanie sprawności (nie pomiar parametrów!) dwubramkowego MOSFETa np. BF961?

[sppp]

Jak sprawdzić mosfet dwubramkowego to nie wiem, nie miałem z takimi doczynienia.
Natomiast zwykły jednobramkowy sprawdza się bardzo prosto. Ustawiam multimetr na "diodę", czarnym kabelkiem łapię za źródło a czerwonym dotykam na chwilę do bramki, żeby ją naładować. Naładowana bramka trzyma napięcie jak dobry kondensator (najczęściej). Potem przekładam czerwoną końcówkę do drenu czarną trzymając cały czas na źródle - miernik powinien pokazać, że "coś tam płynie". Po zwarciu bramki ze źródłem (lub przebiegunowaniu przewodów czarny-bramka, czerwony-źródło) i ponownym dotknięciu czerwonym do drenu a czarnym do źródła miernik nie powinien pokazywać czegokolwiek - po prostu przerwa.
Zdażały mi się w praktyce tranzystory, które były sprawne mimo, że tą metodą nie dało się ich sprawdzić. Były również takie, w których bardzo szybko rozładowywała się bramka (czas rzędu 1-5s) a mimo to były sprawne i pracowały w układzie (głownie układy impulsowych zasilaczy TV i nie tylko).

[OTLamp]

Zdażały mi się w praktyce tranzystory, które były sprawne mimo, że tą metodą nie dało się ich sprawdzić.

A to dlatego, że niektóre tranzystory po prostu się nie otworzą przy danym napięciu omomierza, które dla świeżej baterii w mierniku często wynosi coś koło 3V. Nie sprawdzi się tą metodą również większości tranzystorów IGBT. Trzeba użyć bateryjki.

Były również takie, w których bardzo szybko rozładowywała się bramka (czas rzędu 1-5s) a mimo to były sprawne i pracowały w układzie (głownie układy impulsowych zasilaczy TV i nie tylko).

A to z kolei zależy od wartości pojemności Cgs oraz upływu między nóżkami spowodowanego np. brudem, kurzem, wilgocią itp. Problem szybkiego sprawdzania tranzystorów występuje też przy dużych tranzystorach Darlingtona, które często mają zaimplementowane wewnątrz rezystory "przyspieszajace" o oporności nawet rzędu tylko kilkudziesięciu omów. Żeby otworzyć taki tranzystor trzeba dostarczyć prądu bazy rzędu co najmniej kilkudziesięciu mA.

[KaW]

1-Trzeba w google pobrac karte katalog. TEMIC .
W niej sa wszystkie potrzebne info .
Majac chęć mierzyć takie coś trzeba mieć prosty omomierz -najtańszy -ale taki któremu pomierzyliśmy napięcie pomiarowe na zaciskach -i wiemy ,że ma ok 3V -lepsze jest większe.
Wtedy minus / to też ustalić / omomierza na "S" a plus na "D" .
*-niebawem uzupełnię bo muszę zerknąć na kartę katalogową ..........

[sppp]

OTLamp - nigdy się w genezę problemu nie wgryzałem. W 99% przypadków martwy mosfet=zwarty mosfet. A jeśli coś mu jest innego (czyli nie sprawny ani nie zwarty) wówczas szybciej było wymienić zamiast dochodzić miernikiem sprawny czy nie sprawny. Test omomierzem jaki opisałem wyżej wykonywałem na tranzystorach (najczęściej wylutach), które miałem zamiar wsadzić w układ. Brak zwarcia i bramka otwierająca na miernik kanał mosfeta dawała jakąś tam gwarancję, że jak włoże to zadziała. Poza tym przy naprawach liczy się czas - im szybciej naprawię tym więcej naprawię. Dlatego często szukając usterki wymieniało się i wywalało do kosza być może zupełnie sprawne elementy, metoda eliminacji. Jednak taki tranzystor był tańszy niż czas...
Nie przypominam sobie przypadku, żeby jakiś mosfet mocy wykazywał uszkodzenie w sposób inny niż zwarcie, szczególnie w zasilaczu impulsowym albo step-up/down w zasilaniu linii monitorów CRT.
W przypadku sprawdzania tranzystorów bipolarnych sprawdzenie tranzystora "na diodzie" też nie jest zbyt miarodajne. Taki test pozwala przede wszystkim określić jaka jest polaryzacja tranzystora oraz że ma sprawne złącza P-N. Tutaj miałem zdecydowanie więcej przypadków, że sprawny na miernik tranzystor w układzie nie działał. Można próbować jeszcze końcówki miernika ustawionego na omomierz lub diodę podączyć do kolektora i emitera i poślinionym palcem "zwierać" kolektor z bramką. Wówczas miernik powinien wykazywać zmniejszenie oporności. Ale to też nie jest zbyt miarodajne.

[elektro_nowy]

Czy ta metoda jest bezpieczna dla małych MOSFETów? Bo MOSFETy mocy są z definicji mniej wrażliwe.

[KaW]

Zajmowanie się małymi mosfetami -wogóle tranzystorami polowymi -wymaga troche przygotowań odziezowych.Odziez raczej bawełniana -żadnych syntetyków i polarów.
Trzeba przygotowac miejsce pracy ,tak aby nie stwarzać warunków do tworzenia się ładunków.Jak najmniej sie przemieszczać .Obuwie tez nie za bardzo izolacyjne .
Po zajęciu miejsca pracy ustalic sobie jakąś podkładkę stałą -metal.-nz stole- połaczona z lutowniczą. Takie opisy stanowisk pracy sa dostępne.
Ważne jest wykształcenie nawyków postepowania .Wszystko musi być w zasięgu reki .Lutownica ,podkładka monterska ,monter powinny miec ten sam potencjał.
Stąd czasami wygląda się jak robot powiazany drutami-ręka lewa /n.p./-przez opornik 470k z blachą.
Podłoga tez powinna być elektroprzewodzaca.WSZYSTKO TO POWINNO MIEĆ IZOLACJĘ TAKA "POPSUTĄ" -tylko po to, aby ładunki rozpływały sie i nie stwarzało się zagrożnie wyładowania .
Dobry wełniany sweter może wytworzyc ładunek o wartośći napiecia 1kV.Jedno drobne cykniecie ładunku i tranzystor do niczego.PRZEBIĆ ŁATWO.

A BF961? Na rys.3 /TEMIC/ -widać że elektroda G1 moze przyjmowac wartości od "-2,0,+2" V , natomiast wartość napięcia na elektrodzie G2 /od 0 do +5V/ sluży do wyboru punktu pracy .

Do pomiarów można przyjąc UG2=+ 3V. Są takie bateryjki. Z fig.2 widać ,żę w zerze /t.j. dla UG1=0V/ będzie płynął prad ok. kilku mA.
Ale najwazniejsze to to, że tranzystorowi trzeba dołożyć po oporniku upływowym dla elektrody G1 i elektrody G2 -w stosunku do elektrody zródłą S.
Oporniki te /miniaturowe/ mogą miec po 470k. I z tego wyjdzie takie mini- lab. pomiarowe.

W fabryce -ładunki usuwa słabe promieniowanie jonizujące wysyłane przez spec. materialy promieniotwórcze.

[OTLamp]

A jeśli coś mu jest innego (czyli nie sprawny ani nie zwarty) wówczas szybciej było wymienić zamiast dochodzić miernikiem sprawny czy nie sprawny. Test omomierzem jaki opisałem wyżej wykonywałem na tranzystorach (najczęściej wylutach), które miałem zamiar wsadzić w układ. Brak zwarcia i bramka otwierająca na miernik kanał mosfeta dawała jakąś tam gwarancję, że jak włoże to zadziała. Poza tym przy naprawach liczy się czas - im szybciej naprawię tym więcej naprawię. Dlatego często szukając usterki wymieniało się i wywalało do kosza być może zupełnie sprawne elementy, metoda eliminacji. Jednak taki tranzystor był tańszy niż czas...

To tak, ja pisałem akurat z punktu widzenia kupowania n sztuk tranzystorów i sprawdzania ich w warunkach bazarowych.

Nie przypominam sobie przypadku, żeby jakiś mosfet mocy wykazywał uszkodzenie w sposób inny niż zwarcie, szczególnie w zasilaczu impulsowym albo step-up/down w zasilaniu linii monitorów CRT.

Ja miałem kilka takich przypadków, ale głównie w modułach IGBT. Badanie na test diody wypadało poprawnie, ale tranzystor się nie otwierał.

W przypadku sprawdzania tranzystorów bipolarnych sprawdzenie tranzystora "na diodzie" też nie jest zbyt miarodajne. Taki test pozwala przede wszystkim określić jaka jest polaryzacja tranzystora oraz że ma sprawne złącza P-N.

Jak masz dużego Darlingtona to złącz BE nie sprawdzisz, bo są często do nich dołączone rezystory. Największe takie "klocki" mają te oporniki rzędu 30 omów - takie otwierają się ładnie na prośbę np. baterii R20