Czołem.
Ukaniu pisze: ↑śr, 17 lipca 2024, 12:41
Romekd pisze: ↑śr, 17 lipca 2024, 12:06
Dlaczego pokazany w ramce z oznaczeniem 1 sposób polaryzacji baz tranzystorów, to najgorszy z możliwych do przyjęcia sposobów rozwiązania tego problemu (właściwie to właśnie sposób na tworzenie problemów...)?
Bo bazuje na wzmocnieniu prądowym które jest parametrem o bardzo dużym rozrzucie i jedynie pomiar daje pewność wartości. A pomiary w produkcji są bardzo, bardzo kosztowne.
Tak, wzmocnienie prądowe to najcenniejsza cecha tranzystorów, która czyni je elementami aktywnymi, czyli dającymi możliwość wzmacniania mocy małych sygnałów. Właśnie wzmacnienie mocy, a nie np. wzmacnianie napięcia czy prądu, gdyż te ostanie z wymienionych parametrów mogą wzmacniać również elementy pasywne (obwody rezonansowe LC, transformatory, a nawet odwody RC, które mogą zwiększać amplitudę przebiegów prostokątnych...). Niestety wzmocnienie prądowe tranzystorów (oznaczane jako beta lub hFE) pod wieloma względami jest bardzo niepewnym, nieokreślonym, wręcz upierdliwym parametrem, gdyż mocno zależnym od warunków pracy elementu, parametrów konkretnego egzemplarza, prądu jego kolektora, napięcia kolektor-emiter, od temperatury struktury i od częstotliwości wzmacnianych sygnałów... Nawet kupując konkretny tranzystor nie możemy być pewni, że poza punktem pracy, przy którym było badane i podane w dokumentacji jego wzmocnienie, ten parametr wygląda podobnie dla innego egzemplarza tranzystora. Dawno temu kupiłem kilkaset wyprodukowanych przez CEMI tranzystorów BC211-10 oraz BC313-10. Wszystkie one pochodziły z jednej serii produkcyjnej, a mimo to poszczególne egzemplarze potrafiły się od siebie mocno różnić, choć już wcześniej zostały przez producenta dokładnie pomierzone i zaliczone do grupy wzmocnienia "10", czyli takiej, gdzie każdy egzemplarz przy prądzie kolektora równym 150 mA i napięciu emiter-kolektor równym 2 V wykazuje wzmocnienie prądowe mieszczące się w przedziale 60...160. Zostało mi jeszcze kilka słoików tych tranzystorów, więc losowo wybrałem 10 sztuk, oznaczyłem je numerami od 0 do 9 i postanowiłem im zbadać wzmocnienie.
By podczas testowania temperatura tranzystorów była jednakowa i stała wykonałem ich mocowanie do mocno przewymiarowanego radiatora, przy czym zrobiłem to w taki sposób, by ciepło było odbierane z dolnej części i góry kapelusza.
Wg producenta typowa charakterystyka wzmocnienia prądowego tranzystora BC211 i BC313 dla różnych prądów kolektora powinna wyglądać mniej więcej jak ta w załącznikach poniżej.
Choć na wykresach wygląda to jeszcze w miarę przyzwoicie, to między tranzystorami npn i pnp są spore różnice, które można dostrzec oglądając charakterystyki napięcia baza-emiter i emiter-kolektor przy nasyconym tranzystorze.
Niestety są też spore różnice między dwoma z dziesięciu wybranych przeze mnie tranzystorów, choć są tego samego typu, grupy wzmocnienia i pochodzą z jednej serii produkcyjnej. Poniżej przedstawiam tabelkę, w której podałem wartości prądu bazy dla kilku wartości prądu kolektora oraz wzmocnienie prądowe (betę) dla tej konkretnej wartości prądu dla tranzystorów oznaczonych przeze mnie numerami 0 i 7.
Testy te pokazują, że nie da się przewidzieć wartości wzmocnienia dla innych wartości prądów kolektora niż ten, przy którym wzmocnienie testował producent... No chyba że każdy z tranzystorów poddamy takim testom i z wyników wyrysujemy indywidualne charakterystyki dla każdego z nich... (w taki sposób powinno się dobierać tranzystory w pary, czwórki itd, a nie na podstawie wzmocnienia w jednym tylko punkcie; wszystkie badane przeze mnie tranzystory BC313-10 dla prądu kolektora 150 mA mieściły się w granicach wzmocnień typowych dla grupy 10.). Prosty tester elementów dla czterech tranzystorów z tych wybranych 10. rozpoznawał je jako połączone w szereg dwie diody, a nie jako tranzystory. No cóż, projektant tego urządzenia nie przewidział chyba, że tranzystory dla małych prądów kolektora mogą mieć tak marne wzmocnienie prądowe...
Ukaniu pisze: ↑śr, 17 lipca 2024, 12:41
Rezystor oznaczony 1 na schematach chyba z zetek jest do kitu bo nie pomaga w skutecznym wyssaniu ładunku z bazy stopnia napięciowego z T7, za duża wartość. w efekcie ten wzmacniacz ma bardzo niesymetryczny czas narastania i opadania sygnału (slew rate), dodatkowo rezystor w kolektorze T6 pewnie ma trochę ten układ usymetrycznić w tej kwestii zwalniając całość
(...)
Myślę, że autorom tego rozwiązania nie chodziło o poprawienie symetrii zbocza narastającego i opadającego w sygnałach prostokątnych, którymi można testować układ wzmacniacza, a chcieli ograniczyć maksymalną wartość prądu kolektora i emitera tranzystora T6, przy ewentualnym przesterowaniu wzmacniacza (tranzystor ten połączony jest z bazą następnego, którego emiter połączony jest z masą, więc przy przesterowaniu mógłby odpalić mu cieniutkie doprowadzenie bazy
).
Pozdrawiam
Romek
α β Σ Φ Ω μ π °C ± √ ² < ≤ ≥ > ^ Δ − ∞ α β γ ρ . . . .
We wcześniejszej wersji wzmacniacza, jeszcze z tranzystorami germanowymi na wyjściu, użyto drogiego na tamte czasy (w polskich warunkach wszystkie tranzystory w tamtych czasach były drogie 
