To prawda, mają w strukturze diodę zwrotną, między drenem i źródłem (często jest to dioda większej mocy i to jeszcze Zenera). Natomiast co do zabezpieczenia bramki, byłbym już bardziej ostrożny w ocenie, gdyż diody, o ile w ogóle tam są, są bardzo delikatne i zabezpieczają bramkę głównie przed niewielką elektrostatyką (dotknięcie palcem, lutowanie). W tym roku w bardzo podobnym układzie uszkodziłem (nastąpiło przebicie izolacji bramka-kanał) trzy współcześnie produkowane tranzystory. Wszystkie trzy padły podczas wyłączenia zasilania stabilizatora, przy obciążonym jego wyjściu. W obwodzie bramki znajdował się rezystor 10 kΩ, który teoretycznie powinien ograniczyć prąd bramki do bezpiecznej wartości (tak wcześniej sądziłem). Po zastosowaniu zewnętrznej diody Zenera układ przestał się uszkadzać. Mam jeszcze te uszkodzone tranzystory. Tak wygląda pomiar rezystancji między bramką i źródłem jednego z nich: Pozdrawiamatom1477 pisze:Współczesne tranzystory MOSFET mają wbudowane takie diody. Ciężko jest przebić bramkę w takim tranzystorze.
Ale zewnętrznie można zabezpieczyć. Przy czym lepsze było by zabezpieczenie diodą zwrotną.
Romek